Globale Größe und Prognose des Marktes für Speicher der nächsten Generation

Der Markt für Speicher der nächsten Generation wurde im Jahr 2022 auf 4,49 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2030 30,41 Milliarden US-Dollar erreichen und zwischen 2023 und 2030 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 27,03 % wachsen.

• Die zunehmende Durchdringung fortschrittlicher Technologien wie künstliche Intelligenz, Internet der Dinge (IoT), Cloud Computing und maschinelles Lernen erhöht die Abhängigkeit von Speicherlösungen für schnellere Konnektivität und größere Datenspeicherung. Diese Fortschritte spielen eine entscheidende Rolle bei der Steigerung der Verkäufe von Speichern der nächsten Generation.
• Im Vergleich zu herkömmlichen Speicherlösungen wie NOT AND (NAND) Flash, Dynamic Random Access Memory (DRAM) und Static Random Access Memory (SRAM) bieten modernste Speichertechnologien bekanntermaßen eine höhere Leistung, Energieeffizienz und Speicherkapazität.
• Speicher der nächsten Generation umfasst eine Reihe von Lösungen wie resistiven Direktzugriffsspeicher (RRAM), Phasenwechselspeicher (PCM), magnetoresistiven Direktzugriffsspeicher (MRAM), ferroelektrischen Direktzugriffsspeicher (FeRAM) und 3D XPoint-Speicher.
• Diese Speicherlösungen bieten schnellere Zugriffszeiten, höhere Bandbreite, geringeren Stromverbrauch und Nichtflüchtigkeit und erhöhen so die Nachfrage nach Speichern der nächsten Generation.
• Darüber hinaus spornt die zunehmende Anwendung fortschrittlicher Speicherlösungen Halbleiter- und Speicherhersteller an, Speichertechnologien der nächsten Generation zu entwickeln und zu vermarkten.

Globale Marktdynamik für Speicher der nächsten Generation

Wichtige Treiber

• Zunehmende Implementierung intelligenter Lösungen Der anhaltende Trend zur Integration intelligenter, technologiebasierter Lösungen wie Smartphones, Smart Wearables, Smart Homes und anderer intelligenter Elektronik erfordert schnelleren Zugriff und größeren Speicherplatz bei minimalem Stromverbrauch. Diese Technologien werden voraussichtlich den Absatz von Speicher der nächsten Generation steigern.
• Zunehmende Einbindung von High-Performance-ComputingHPC-Anwendungen wie künstliche Intelligenz (KI), maschinelles Lernen (ML), Edge Computing, Cloud Computing und Big Data Analytics revolutionieren verschiedene Sektoren wie Fertigung, Gesundheitswesen, Telekommunikation und Bankwesen. Diese Technologien steigern den Bedarf an geringerer Latenz, höherer Bandbreite und effizientem Speicher und bieten lukrative Möglichkeiten für das Wachstum des Marktes für Speicher der nächsten Generation.
• Steigende Nachfrage nach nachhaltigen Speichertechnologien Wachsende Umweltbedenken treiben die Nachfrage nach Speicherlösungen mit minimalem Energieverbrauch und vernachlässigbarem ökologischen Fußabdruck voran. Die Speichertechnologien der nächsten Generation wie MRAM und PCM erfüllen diese Nachhaltigkeitsziele und steigern daher ihre Nachfrage.
• Fortschritte in der Halbleitertechnologie Die kontinuierlichen Fortschritte in der Halbleiterherstellung ermöglichen die Entwicklung neuer Speicherarchitekturen und -materialien, die überlegene Leistung und Dichte bieten können. Diese fortlaufende Innovation ist entscheidend für das Wachstum des Marktes für Speicher der nächsten Generation.
• Neue Anwendungen im IoT, in der Automobil- und Luftfahrtindustrie Die Automobil-, Luftfahrt- und IoT-Industrie generiert große Datenmengen, die in schwierigen Umgebungen verarbeitet werden müssen. Dadurch wird die Einführung von Speichertechnologien der nächsten Generation mit höherer Skalierbarkeit, Bandbreite und Geschwindigkeit erforderlich.
• Insgesamt wird erwartet, dass diese Faktoren den Markt der nächsten Generation antreiben und zu erheblichen Fortschritten in der Speichertechnologie sowie zur Navigation auf dem Markt führen.

Wichtige Herausforderungen

• Hohe Herstellungskosten für Speicherlösungen der nächsten GenerationDie hohen Kosten der hochdichten und hochbitdichten Speichertechnologien der nächsten Generation stellen für kleinere Unternehmen mit geringerem Budget ein Hindernis für die Einführung dieser Speicherlösungen dar. Außerdem sind die Herstellungskosten der Speicherlösungen der nächsten Generation im Vergleich zu herkömmlichen Technologien, einschließlich DRAM und NAND-Flash-Speicher, höher. Diese hohen Vorlaufkosten begrenzen die Verfügbarkeit von Speicherlösungen der nächsten Generation.
• Zunehmende Cybersicherheitsangriffe Da die Einführung des Internets der Dinge, des Cloud-Computing und anderer Hochleistungs-Computertechnologien in Speichertechnologien der nächsten Generation voranschreitet, werden diese sehr anfällig für Cybersicherheitsangriffe. Die Anfälligkeit von Speichern der nächsten Generation wird voraussichtlich deren Nachfrage verringern und sich negativ auf das Marktwachstum auswirken.
• Technische Einschränkungen Die Notwendigkeit, bei der Entwicklung und Herstellung von Speicherchips der nächsten Generation technische Spezifikationen einzuhalten, erhöht den Bedarf an Fachwissen. Diese technischen Herausforderungen wirken sich auf die Ausbeute und die Fehlerrate aus und erhöhen die Gesamtproduktionskosten.
• Zuverlässigkeit traditioneller Speichertechnologien Konventionelle Speicherlösungen, einschließlich DRAM- und NAND-Flash-Speichertechnologien, werden ständig weiterentwickelt, um erhebliche Vorteile in Bezug auf Kosten, Leistung und Reife zu bieten. Dies wird wahrscheinlich zu einem Wettbewerb führen, der es Speicherlösungen der nächsten Generation schwer macht, Marktanteile zu gewinnen.

Wichtige Chancen

• Zusammenführung von Speicher und VerarbeitungDie Fortschritte in der Speichertechnologie verwischen die Grenzen zwischen Speicher und Verarbeitung. Beispielsweise integriert Intels Optane-Speicher Verarbeitungsfunktionen in den Speicherchip. Diese Konvergenz ermöglicht die Entwicklung neuer Speicherarchitekturen mit schnellerem Datenzugriff und verbesserter Systemleistung. Solche Entwicklungen werden lukrative Chancen für den Markt schaffen.
• Markt für mobile Geräte und der Trend zu HochleistungsspeichernDie zunehmende Verbreitung von High-End-Smartphones und anderen mobilen Geräten treibt den Bedarf an Speicherlösungen mit höheren Auflösungen, schnelleren Datenübertragungsraten und verbesserter Akkulaufzeit voran. Dadurch wird der Verkauf von Speichertechnologien der nächsten Generation angekurbelt.
• Integration von künstlicher Intelligenz (KI) und maschinellem Lernen (ML)Die wachsende Nachfrage nach leistungsstarken Speicherlösungen mit geringer Latenzzeit erhöht den Bedarf, KI und MI in die Speicherlösungen zu integrieren. Dies öffnet neue Türen für Speichertechnologien der nächsten Generation.
• Rolle des Edge Computing in SpeicherlösungenEdge Computing treibt den Bedarf an Speicherlösungen mit Energieeffizienz und höherer Leistung bei geringer Latenzzeit voran. Speicherlösungen der nächsten Generation wie MRAM und PCM eignen sich gut für Edge-Computing-Anwendungen und kurbeln den Umsatz an.

Globaler Markt für Speicher der nächsten Generation – regionale Analyse

Asien-Pazifik

• Der Markt für Speicher der nächsten Generation im Asien-Pazifik-Raum wird Schätzungen zufolge bis 2030 das schnellste Wachstum aufweisen. Die expandierenden Fertigungs- und Unterhaltungselektronikindustrien in Schwellenländern wie Indien, China und Japan bieten bessere Entwicklungs- und Vermarktungsaussichten für Speichertechnologien der nächsten Generation.
• Die sich entwickelnden Halbleiterindustrien in der Region erfordern die Nachfrage nach Speichertechnologien der nächsten Generation, um die digitale Datenspeicherung zu ermöglichen. dies positioniert den Asien-Pazifik-Raum für den Erfolg auf diesem rasch wachsenden Markt.
• Die Verbreitung intelligenter Geräte in der Region als Reaktion auf die Bedürfnisse der technisch versierten Verbraucher erleichtert die Integration von Speicherlösungen der nächsten Generation in eine breite Palette von Geräten.

Nordamerika

• Die konstante Nachfrage nach schnellerer Datenverarbeitung in verschiedenen Sektoren, darunter Finanzen, Gesundheitswesen und Cloud-Computing, veranlasst Unternehmen, Speicherlösungen der nächsten Generation zu integrieren und treibt so das Marktwachstum in der Region voran.
• Die rasche Industrialisierung in der Region erfordert mehr Erreichbarkeit, Konnektivität, schnelle Datenübertragung und große Speicherkapazität mit geringerer Latenz für einen effizienten Betrieb. Diese Nachfrage lenkt das Wachstum des Marktes der nächsten Generation in die vorherrschende Richtung.
• Die zunehmende Verbreitung mobiler Geräte in Nordamerika wird voraussichtlich den Verkauf von fortschrittlichen Speicherlösungen ankurbeln, was den Trend zu einem würdigen Beitrag zum Wachstum des Marktes macht.

Marktattraktivität

Das bereitgestellte Bild der Marktattraktivität würde außerdem dabei helfen, Informationen über die Region zu erhalten, die im globalen Markt für Speicher der nächsten Generation führend ist. Wir decken die wichtigsten Einflussfaktoren ab, die für das Branchenwachstum in der jeweiligen Region verantwortlich sind.

Porters fünf Kräfte

Das bereitgestellte Bild hilft außerdem dabei, Informationen über Porters Fünf-Kräfte-Modell zu erhalten, das eine Blaupause zum Verständnis des Verhaltens von Wettbewerbern und der strategischen Positionierung eines Akteurs auf dem Markt für Speicher der nächsten Generation bietet, die Attraktivität eines bestimmten Sektors einschätzt und Investitionsmöglichkeiten beurteilt.

Globaler Markt für Speicher der nächsten GenerationSegmentierungsanalyse

Der globale Markt für Speicher der nächsten Generation ist nach Technologie, Typ, Anwendung und Geografie segmentiert.

Markt für Speicher der nächsten Generation, nach Technologie

• Volatil

• 1. Hybrid Memory Cube (HMC)
     1. DRAM
     2. SRAM
  2. Hohe Bandbreite Speicher (HBM)
• Nichtflüchtig
  1. MRAM
  2. NAND-Flash
  3. NOR-Flash
  4. Nano-RAM (NRAM)
  5. PCM
  6. 3D XPoint
  7. FeRAM
  8. Resistive RAM (ReRAM)/ Conductive-Bridging RAM (CBRAM)

Basierend auf der Technologie ist der Markt in flüchtigen und nichtflüchtigen Speicher unterteilt. Flüchtiger Speicher wie DRAM und SRAM erfordert eine kontinuierliche Stromversorgung, um Daten zu behalten, während nichtflüchtiger Speicher wie NAND-Flash, NOR-Flash, MRAM, PCM, RRAM und FeRAM Daten auch ohne Stromversorgung behält. Das nichtflüchtige Segment wird voraussichtlich den Markt dominieren. Die Generierung riesiger Datenmengen in den Branchen erhöht den Bedarf an leistungsstarken, kostengünstigen und schnelleren Speicherlösungen. Ebenso erfordert die zunehmende Nutzung von Wearables, Hochleistungsrechnern und Alternativen für Flash-Speicher Speicherlösungen. Diese Faktoren werden wahrscheinlich den Verkauf von nichtflüchtigen Speichertechnologien ankurbeln.

Markt für Speicher der nächsten Generation nach Typ

• Massenspeicher
• Eingebetteter Speicher

Basierend auf dem Typ ist der Markt in Massenspeicher und eingebetteten Speicher unterteilt. Expandierende Rechenzentren, Unternehmensspeichersysteme, Unterhaltungselektronik und andere erfordern Speicher mit hoher Kapazität, schnellen Zugriffsgeschwindigkeiten und zuverlässiger Datenspeicherung, was die Nachfrage nach Massenspeicher in die Höhe treibt. Massenspeicher bezieht sich auf die Verwendung von Speichertechnologien der nächsten Generation für groß angelegte Datenspeicheranwendungen wie Solid-State-Laufwerke (SSDs), Festplattenlaufwerke (HDDs) und andere externe Speichergeräte. Das Segment wird voraussichtlich den größten Anteil am Markt für Speicher der nächsten Generation halten.

Markt für Speicher der nächsten Generation, nach Anwendung

• Unterhaltungselektronik
• Unternehmensspeicher
• Fertigung
• IT und Telekommunikation
• Luftfahrt und Verteidigung
• Industrie
• Automobil und Transport
• Sonstige

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Unterhaltungselektronik, Unternehmensspeicher, Fertigung, IT und Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Industrie, Automobil und Transport und Sonstige unterteilt. Speichertechnologien der nächsten Generation werden in Unternehmensspeichersystemen verwendet, darunter Rechenzentren, Server und Cloud-Speicher. Diese Technologien bieten Hochgeschwindigkeitsdatenzugriff, Speicherlösungen mit geringer Latenz und effizientes Datenmanagement und ermöglichen so verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit in Unternehmensspeicherumgebungen. Somit macht die zunehmende Anwendung von fortschrittlichen Speicherlösungen im Unternehmenssektor diesen zu einem dominierenden Marktsegment.

Wichtige Akteure

Der Studienbericht „Globaler Markt für Speicher der nächsten Generation“ bietet wertvolle Einblicke mit Schwerpunkt auf dem globalen Markt. Die wichtigsten Akteure auf dem Markt sind Intel, Toshiba, Fujitsu, Honeywell International, Micron Technology, SK Hynix, Western Digital, Samsung, Everspin, Microchip Technology, Avalanche Technology, Crossbar, Inc., Nantero, Inc., Macronix International CO., Ltd, ROHM CO., LTD, Kingston Technology, Viking Technology, Infineon Technologies AG, Winbond, Nanya Technology, KIOXIA Singapore Pte. Ltd und Adesto Technologies.

Unsere Marktanalyse umfasst auch einen Abschnitt, der ausschließlich diesen wichtigen Akteuren gewidmet ist, in dem unsere Analysten einen Einblick in die Finanzberichte aller wichtigen Akteure sowie deren Produktbenchmarking und SWOT-Analyse geben. Der Abschnitt zum Wettbewerbsumfeld umfasst auch wichtige Entwicklungsstrategien, Marktanteile und Marktrankinganalysen der oben genannten Akteure weltweit.

Wichtige Entwicklungen

• Im Februar 2022 erwarb Intel Tower Semiconductor für 5,4 Milliarden Dollar, um das globale End-to-End-Gießereigeschäft des Unternehmens zu beschleunigen.
• Im Juni 2022 entwickelte SK Hynix, Inc. ein zwölfschichtiges HBM3-Produkt mit 24 GB 2 Speicherkapazität. Es ist der schnellste DRAM der Welt.
• Im November 2022 nutzt SAMSUNG seine höchste Bitdichte, um mit der Massenproduktion eines 1-Terabit (Tb) Triple-Level-Cell (TLC) Vertical NAND (V-NAND) der achten Generation der 8. Generation zu beginnen.
• Im Juni 2022 gab Weebit Nano Limited bekannt, dass der neueste Chip-Prototyp mit einem eingebetteten Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-Modul und der Gießerei von SkyWater Technology integriert ist. Diese Technologie wird auf dem 130-nm-CMOS-Prozess von SkyWater verfügbar sein und eignet sich daher perfekt für Energiemanagement, Automobil-, Analog-, IoT- und medizinische Anwendungen.
• Im Februar 2022 veröffentlichte SK Hynix PIM, einen Speicherchip der nächsten Generation mit Rechenleistung. SK Hynix hat einen Prototyp von GDDR6-AiM auf den Markt gebracht, das erste Produkt, das die PIM-Technologie nutzt.

Ace-Matrix-Analyse

Die im Bericht bereitgestellte Ace-Matrix hilft zu verstehen, wie die wichtigsten Akteure dieser Branche abschneiden, da wir für diese Unternehmen eine Rangliste basierend auf verschiedenen Faktoren wie Servicefunktionen und Innovationen, Skalierbarkeit, Serviceinnovation, Branchenabdeckung, Branchenreichweite und Wachstums-Roadmap erstellen. Basierend auf diesen Faktoren ordnen wir die Unternehmen in vier Kategorien einAktiv, Spitzentechnologie, Aufstrebend und Innovatoren.

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