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全球下一代存储器市场规模按技术(易失性、非易失性)、类型(大容量存储、嵌入式存储)、应用(消费电子、企业存储)、地理范围和预测划分


Published on: 2024-08-24 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MRA | Format : PDF&Excel

全球下一代存储器市场规模按技术(易失性、非易失性)、类型(大容量存储、嵌入式存储)、应用(消费电子、企业存储)、地理范围和预测划分

全球下一代内存市场规模和预测

2022 年下一代内存市场规模价值 44.9 亿美元,预计到 2030 年将达到304.1 亿美元,2023 年至 2030 年的复合年增长率为 27.03%。

  • 人工智能、物联网 (IoT)、云计算和机器学习等先进技术的日益普及,增加了对内存解决方案的依赖,以实现更快的连接性和更大的数据存储。这些进步在促进下一代内存的销售方面发挥着关键作用。
  • 与传统内存解决方案(例如 NOT AND (NAND) 闪存、动态随机存取存储器 (DRAM) 和静态随机存取存储器 (SRAM))相比,尖端内存技术以提供更高的性能、能效和存储容量而闻名。
  • 下一代内存包括一系列解决方案,例如电阻式随机存取存储器 (RRAM)、相变存储器 (PCM)、磁阻随机存取存储器 (MRAM)、铁电随机存取存储器 (FeRAM) 和 3D XPoint 内存。
  • 这些内存解决方案提供更快的访问时间、更高的带宽、更低的功耗和非易失性,从而增加了对下一代内存的需求。
  • 此外,先进内存解决方案的日益普及正在刺激半导体和内存制造商开发和商业化下一代内存技术。

全球下一代内存市场动态

关键驱动因素

  • 智能解决方案实施不断增加:智能手机、智能可穿戴设备、智能家居和其他智能电子产品等智能技术驱动解决方案的持续整合趋势推动了对更快的可访问性和更大的内存空间以及最低功耗的需求。预计这些技术将增加下一代内存的销量。
  • 高性能计算的不断增长:人工智能 (AI)、机器学习 (ML)、边缘计算、云计算和大数据分析等 HPC 应用正在彻底改变制造业、医疗保健、电信和银行业等各个领域。这些技术激增了对更低延迟、更高带宽和高效内存的需求,为下一代内存市场的增长提供了丰厚的机会。
  • 对可持续内存技术的需求不断增长:日益增长的环境问题推动了对能耗最低、环境足迹可忽略不计的内存解决方案的需求。MRAM 和 PCM 等下一代内存技术满足了这些可持续发展目标,从而增加了它们的需求。
  • 半导体技术的进步:半导体制造技术的不断进步使得能够提供卓越性能和密度的新型内存架构和材料的开发成为可能。这种持续的创新对于下一代内存市场的增长至关重要。
  • 物联网、汽车和航空航天领域的新兴应用:汽车、航空航天和物联网行业会产生大量数据,这些数据必须在恶劣的环境中运行。因此,需要采用具有更高可扩展性、带宽和速度的下一代内存技术。
  • 总体而言,这些因素有望推动下一代市场的发展,从而显著提高内存技术并引导市场发展。

主要挑战

  • 下一代内存解决方案的高制造成本:高密度和高位密度的下一代内存技术的高成本阻碍了预算较低的小型企业采用这些内存解决方案。此外,与包括 DRAM 和 NAND 闪存在内的传统技术相比,下一代内存解决方案的制造成本更高。这种高昂的前期成本限制了下一代内存解决方案的可用性。
  • 网络安全攻击不断增加:随着物联网、云计算和其他高性能计算技术在下一代内存技术中的应用,它们变得极易受到网络安全攻击。下一代内存的脆弱性预计会降低其需求,对市场增长产生负面影响。
  • 技术限制:在开发和制造下一代内存芯片时需要遵循技术规范,这增加了对专业知识的需求。这些技术挑战会影响产量和缺陷率,从而增加总体生产成本。
  • 传统内存技术的可靠性:包括 DRAM 和 NAND 闪存技术在内的传统内存解决方案正在不断升级,以在成本、性能和成熟度方面提供显着优势。这可能会引发竞争,使下一代内存解决方案难以获得市场份额。

关键机遇

  • 内存和处理的融合:内存技术的进步正在模糊内存和处理之间的区别。例如,英特尔的 Optane 内存将处理能力集成到内存芯片中。这种融合使得开发新的内存架构成为可能,可以更快地访问数据并提高系统性能。这样的发展将为市场创造有利可图的机会。
  • 移动设备市场和对高性能内存的驱动:高端智能手机和其他移动设备的日益普及推动了对具有更高分辨率、更快数据传输速率和更长电池寿命的内存解决方案的需求。从而刺激下一代内存技术的销售。
  • 人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 的集成:对高性能、低延迟内存解决方案的需求不断增长,推动了在内存解决方案中集成 AI 和 MI 的需求。它为下一代内存技术打开了新的机会之门。
  • 边缘计算在内存解决方案中的作用:边缘计算推动了对具有高能效和更高性能以及低延迟的内存解决方案的需求。 MRAM 和 PCM 等下一代内存解决方案有利于边缘计算应用,从而推动销售。

行业报告内容是什么?

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全球下一代存储器市场区域分析

亚太地区

  • 预计到 2030 年,亚太地区的下一代存储器市场将呈现最快的增长速度。印度、中国和日本等新兴国家的制造业和消费电子行业不断扩张,为下一代存储器技术提供了更高的发展和商业化前景。
  • 该地区不断发展的半导体行业需要下一代存储器技术来实现数字数据存储。这使得亚太地区在这个快速增长的市场中取得成功。
  • 为了满足精通技术的消费者的需求,该地区智能设备的激增促进了下一代内存解决方案在各种设备中的集成。

北美

  • 金融、医疗保健和云计算等各个领域对更快数据处理的持续需求,正在影响企业集成下一代内存解决方案,推动该地区的市场增长。
  • 该地区的快速工业化推动了对更高的可访问性、连接性、快速的数据传输和更低延迟的大存储容量的需求,以实现高效的运营。这种需求正引领下一代市场的增长。
  • 预计北美移动设备的普及率不断提高,将推动先进内存解决方案的销售,这一趋势对市场的增长功不可没。

市场吸引力

所提供的市场吸引力形象将进一步帮助获取有关在全球下一代内存市场中处于领先地位的地区的信息。我们涵盖了推动特定区域行业增长的主要影响因素。

波特五力模型

提供的图像将进一步帮助获取有关波特五力框架的信息,该框架为了解竞争对手的行为和参与者在下一代内存市场中的战略定位提供了蓝图,衡量了某个行业的吸引力,并评估了投资可能性。

全球下一代内存市场:细分分析

全球下一代内存市场根据技术、类型、应用和地理位置进行细分。

按技术划分的下一代内存市场

  • 易失性
    1. 混合内存立方体 (HMC)
      1. DRAM
      2. SRAM
    2. 高带宽内存(HBM)
  • 非易失性
    1. MRAM
    2. NAND 闪存
    3. NOR 闪存
    4. 纳米 RAM (NRAM)
    5. PCM
    6. 3D XPoint
    7. FeRAM
    8. 电阻式 RAM (ReRAM)/导电桥接 RAM (CBRAM)

根据技术,市场分为易失性和非易失性存储器。易失性存储器(例如 DRAM 和 SRAM)需要持续供电才能保留数据,而非易失性存储器(例如 NAND 闪存、NOR 闪存、MRAM、PCM、RRAM 和 FeRAM)即使没有电源也能保留数据。非易失性部分预计将占据市场主导地位。行业中生成的大量数据增加了对高性能、经济高效且更快的内存解决方案的需求。同样,可穿戴设备、高性能计算和闪存替代品的日益普及也需要内存解决方案。这些因素可能会推动非易失性存储器技术的销售。

下一代存储器市场,按类型

  • 大容量存储
  • 嵌入式存储

根据类型,市场分为大容量存储和嵌入式存储。不断扩展的数据中心、企业存储系统、消费电子产品等需要具有快速访问速度和可靠数据保留的大容量存储,从而猛增对大容量存储的需求。大容量存储是指将下一代存储器技术用于大规模数据存储应用,例如固态硬盘 (SSD)、硬盘驱动器 (HDD) 和其他外部存储设备。预计该细分市场将占据下一代内存市场的最大份额。

按应用划分的下一代内存市场

  • 消费电子
  • 企业存储
  • 制造业
  • IT 和电信
  • 航空航天和国防
  • 工业
  • 汽车和运输
  • 其他

根据应用,市场分为消费电子、企业存储、制造业、IT 和电信、航空航天和国防、工业、汽车和运输以及其他。下一代内存技术用于企业存储系统,包括数据中心、服务器和云存储。这些技术提供高速数据访问、低延迟存储解决方案和高效的数据管理,从而提高企业存储环境的性能、可靠性和可扩展性。因此,企业领域先进内存解决方案的蓬勃发展,使其成为市场中的主导部分。

主要参与者

“全球下一代内存市场”研究报告将提供有价值的见解,重点关注全球市场。市场的主要参与者包括英特尔、东芝、富士通、霍尼韦尔国际、美光科技、SK 海力士、西部数据、三星、Everspin、微芯片科技、Avalanche Technology、Crossbar, Inc.、Nantero, Inc.、旺宏国际有限公司、罗姆股份有限公司、金士顿科技、Viking Technology、英飞凌科技股份公司、华邦、南亚科技、KIOXIA Singapore Pte. Ltd 和 Adesto Technologies。

我们的市场分析还包括一个专门针对这些主要参与者的部分,其中我们的分析师提供了对所有主要参与者财务报表的洞察,以及其产品基准测试和 SWOT 分析。竞争格局部分还包括上述参与者在全球范围内的关键发展战略、市场份额和市场排名分析。

关键发展

  • 2022 年 2 月,英特尔以 54 亿美元收购 Tower Semiconductor,以加速该公司全球端到端代工业务。
  • 2022 年 6 月,SK Hynix, Inc. 开发了一款具有 24GB2 内存容量的十二层 HBM3 产品。它是世界上最快的DRAM。
  • 2022年11月,三星以其最高位密度开始量产1太比特(Tb)三级单元(TLC)第八代垂直NAND(V-NAND)。
  • 2022年6月,Weebit Nano Limited宣布最新的原型芯片集成了嵌入式电阻式随机存取存储器(ReRAM)模块和SkyWater Technology的代工厂。该技术将在SkyWater的130nm CMOS工艺上可用,使其非常适合电源管理、汽车、模拟、物联网和医疗用途。
  • 2022年2月,SK Hynix发布了具有计算能力的下一代内存芯片PIM。 SK Hynix 推出了 GDDR6-AiM 的原型,这是第一款采用 PIM 技术的产品。

Ace 矩阵分析

报告中提供的 Ace 矩阵将有助于了解该行业主要关键参与者的表现,因为我们根据服务功能和创新、可扩展性、服务创新、行业覆盖范围、行业影响力和增长路线图等各种因素对这些公司进行了排名。基于这些因素,我们将公司分为四类:活跃、前沿、新兴和创新者。

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