Markt für Speicher der nächsten Generation – Nach Technologie: Nichtflüchtige Speicher SRAM, Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher MRAM, Ferroelektrischer RAM FRAM, Resistiver Direktzugriffsspeicher ReRAM, Nano-RAM, Sonstige, Flüchtige Speicher Hybrid Memory Cube, Nach Speicherwafer, Nach Anwendu

Größe des Marktes für Speicher der nächsten Generation

Die Größe des Marktes für Speicher der nächsten Generation wurde im Jahr 2023 auf über 6,7 Milliarden USD geschätzt und dürfte zwischen 2024 und 2026 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate CAGR von über 24,8 % verzeichnen. 2034. Das zunehmende Interesse an IoT-Geräten treibt die Marktexpansion voran.
 

IoT-Geräte produzieren große Datenmengen, die effektiv gespeichert und analysiert werden müssen, weshalb der Bedarf an fortschrittlichen Speichertechnologien steigt. Speicherlösungen der nächsten Generation bieten viele Vorteile, wie ihre kompakte Größe und große Datenspeicherkapazität sowie geringen Stromverbrauch, die maßgeschneidert auf IoT-bezogene Anforderungen und Anwendungen wie intelligente Zähler und vernetzte Autos zugeschnitten sind.
 

Dieser Speichermarkt der nächsten Generation hat als Reaktion auf die steigende Nachfrage nach nichtflüchtigen Speicherprodukten ein erhebliches Wachstum erlebt. Kritische Anwendungen, die eine konstante Speicherung erfordern, wie Unternehmensspeicher, Rechenzentren, Automobilelektronik und IoT-Geräte, bevorzugen keinen flüchtigen Speicher, da dieser beim Abschalten der Stromversorgung keine Daten behält. Im Gegensatz zu herkömmlichen nichtflüchtigen Speichern wie NAND-Flash und Festplattenlaufwerke HDDs , Speichertechnologien der nächsten Generation einschließlich Resistive RAM ReRAM , Phase-Change Memory PCM und Magnetic RAM MRAM sind aufgrund ihrer schnelleren Zugriffszeiten, des geringeren Stromverbrauchs und der höheren Speicherkapazität deutlich im Vorteil. höhere Dichte.
 

Bei der Entwicklung von Speicher der nächsten Generation treten viele Probleme auf. Der Wunsch nach höheren Geschwindigkeiten, mehr Kapazitäten und geringerem Stromverbrauch in der Speichertechnologie ist auch kostspielig. Erschwerend kommt hinzu, dass die Einführung neuer Technologien in aktuelle Systeme und Normen ihre eigenen Probleme mit sich bringt. So erfordert beispielsweise die Überwindung physikalischer Einschränkungen, die neuen Speichertechnologien wie Phasenwechsel- oder resistiven Direktzugriffsspeichern innewohnen, umfangreiche Forschung und Entwicklung.
 

Markttrends für Speicher der nächsten Generation

High-Performance Computing HPC erfreut sich zunehmender Nachfrage und ist damit der wichtigste Wachstumstreiber auf dem Markt. Aktuelle wissenschaftliche Simulationen, künstliche Intelligenz, Deep Learning und Datenanalyse erfordern riesige Datenmengen und groß angelegte Verarbeitungskapazitäten. Dies sind Speicher mit höheren Bandbreiten aufgrund ihrer aufkommenden Technologien, die aus Resistive RAM ReRAM, Phase-Change Memory PCM und Magnetic RAM MRAM bestehen.
 

Aufgrund dieser Eigenschaften sind sie ideal für HPC-Umgebungen. Im November 2023 stellte Altair, ein HPC- und KI-Unternehmen, Altair HPCWorks vor; eine HPC- und Cloud-Plattform. Sie verfügt über ein KI-gesteuertes Benutzerportal, das erweiterte HPC-Überwachungs-/Berichtstools für eine einfachere Cloud-Skalierung sowie verteilte Workflow-Technologie der nächsten Generation umfasst.
 

Datenspeicherung und -verarbeitung sind die wichtigsten Trends auf dem Speichermarkt der nächsten Generation. Die Nachfrage nach schnelleren Speicherlösungen wurde durch die enormen Datenmengen angetrieben, die durch Big Data, das Internet der Dinge IoT , künstliche Intelligenz KI , maschinelles Lernen usw. entstehen. Diese Lösungen sind effizienter und sparen Energie bei der Speicherung und Verarbeitung von Big Data. Im Vergleich zu herkömmlichen Speicherlösungen bieten Speichertechnologien der nächsten Generation wie Resistive RAM ReRAM, Phase-Change Memory PCM und Magnetic RAM MRAM sowohl schnelle, langlebige als auch stromsparende Produkte.
 

Analyse des Speichermarkts der nächsten Generation

Basierend auf der Größe der Speicherwafer ist der Markt in 200 mm und 300 mm segmentiert. Das 300-mm-Segment hielt im Jahr 2023 mit über 55 % den größten Marktanteil. Zu den Vorteilen der Umstellung auf größere Wafer wie 300 mm gehören eine höhere Effizienz während der Produktion, bessere Ausbeuteraten und niedrigere Preise für die Herstellung pro Einheit.
 

Darüber hinaus werden Speicher der neueren Generation wie Resistive RAM ReRAM, Phase-Change Memory PCM und Magnetic RAM MRAM von den Skaleneffekten durch die Herstellung von 300-mm-Wafer profitieren, da dadurch höhere Stückzahlen zu erschwinglichen Kosten möglich sind. Durch die Verwendung von 300-mm-Domänen können Halbleiterhersteller wiederum fortschrittlichere Prozessknoten verwenden und höhere Chipdichten erreichen, die die Leistung verbessern und die Speicherkapazitäten in zukünftigen Speichergeräten erhöhen.
 

Basierend auf der Technologie ist der Markt für Speicher der nächsten Generation in nichtflüchtige und flüchtige Speicher segmentiert. Nichtflüchtige Speicher sind weiter unterteilt in SRAM, magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher, ferroelektrischer RAM FRAM , resistiver Direktzugriffsspeicher ReRAM , Nano-RAM und andere. Flüchtige Speicher sind weiter unterteilt in Hybrid Memory Cube HMC und High Bandwidth Memory HBM . Es wird erwartet, dass das Segment der nichtflüchtigen Speicher von 2024 bis 2034 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von über 26 % verzeichnet.
 

Nichtflüchtige Speicherlösungen können Daten auch bei abgeschalteter Stromversorgung speichern und sind daher für die Datenspeicherung in Bereichen wie Fahrzeugelektronik, Unternehmensspeicher und Internet der Dinge unverzichtbar. Fortschritte bei nichtflüchtigen Speichertechnologien wie Resistive RAM ReRAM , Phase-Change Memory PCM und Magnetic RAM MRAM haben im Vergleich zu herkömmlichen nichtflüchtigen Speichern wie NAND-Flash und Festplattenlaufwerken HDD zu mehr Geschwindigkeit und Energieeffizienz sowie längerer Lebensdauer geführt. Diese Fortschritte stehen im Einklang mit dem wachsenden Bedarf an schnellerer Datenspeicherung, -abfrage und -verarbeitung in datenintensiven Anwendungen, die durch Trends wie Big Data, künstliche Intelligenz KI und das Internet der Dinge vorangetrieben werden.
 

Nordamerika hatte im Jahr 2023 mit einem Marktanteil von über 36,5 % einen bedeutenden Anteil am Markt für Speicher der nächsten Generation. Die Region zeichnet sich durch ein starkes Ökosystem aus Halbleiterfirmen, Forschungsinstituten und Technologieunternehmen aus, die Innovation und Fortschritt bei fortschrittlichen Speichertechnologien vorantreiben. Darüber hinaus besteht aufgrund des wachsenden Bedarfs an Edge-Computing-Anwendungen, Rechenzentren und Hochleistungsrechnen eine steigende Nachfrage nach schnelleren und energieeffizienteren Speicherlösungen.
 

Darüber hinaus gibt es in Nordamerika mehrere wichtige Akteure in der Halbleiterindustrie wie Intel, Micron Technology und IBM, die stark in Speicher der nächsten Generation wie MRAM Magneto Resistive Random Access Memory, PCM Phase-Change Memory und ReRAM Resistive Random Access Memory investieren. Diese Unternehmen arbeiten mit unternehmerischen Startups sowie wissenschaftlichen Einrichtungen zusammen, um die Kommerzialisierung und Übernahme dieser Erfindungen zu beschleunigen.
 

Marktanteil bei Speichersystemen der nächsten Generation

Samsung und Micron Technology, Inc. hatten im Jahr 2023 einen Marktanteil von über 18 %. Samsung ist ein dominierender Akteur auf dem Markt für Speichersysteme der nächsten Generation und übernimmt mit seinen fortschrittlichen Speichertechnologien, die es dem Technologiemarkt anbietet, die Rolle eines Innovationsführers. 3D-NAND-Flash-Speicher, LPDDR5-DRAM und HBM2E sind einige der Speichersysteme der nächsten Generation, die Samsung dank seiner Expertise in der Halbleiterherstellung produzieren konnte.
 

Micron Technology, Inc. ist aufgrund seiner Expertise im Bereich Halbleiter und Speicherlösungen ein wichtiger Akteur auf dem Markt für Speichersysteme der nächsten Generation. Das Unternehmen beteiligt sich aktiv an der Entwicklung und Vermarktung fortschrittlicher Speichertechnologien wie 3D XPoint, das zusammen mit Intel als nichtflüchtige Speichertechnologie entwickelt wurde.
 

Unternehmen auf dem Markt für Speicher der nächsten Generation

Wichtige Akteure in der Speicherbranche der nächsten Generation sind

• Samsung
• Micron Technology, Inc.
• Fujitsu
• SK HYNIX INC.
• Honeywell International Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Everspin Technologies Inc.
   

Neuigkeiten aus der Speicherbranche der nächsten Generation

• Im Mai 2023 gab das Halbleiterunternehmen Micron Technology die Herstellung von DRAM bekannt, dem 1-Gamma-Knoten unter Verwendung einer Extrem-Ultraviolett-EUV-Technologie. Diese Entwicklung erweiterte die Herstellung von Speicher der nächsten Generation.
   
• Im August 2022 brachte Samsung Petabyte Storage auf den Markt, eine Speichertechnologie der nächsten Generation, um die Effizienz von Rechenzentren in einer zunehmend datengesteuerten Welt zu maximieren. Mit der neuen Lösung kann eine einzelne Servereinheit mehr als ein Petabyte Speicher bieten, sodass Serverhersteller ihre Speicherkapazität auf derselben Grundfläche mit einer minimalen Anzahl von Servern deutlich erhöhen können.
   

Der Marktforschungsbericht zum Speicher der nächsten Generation umfasst eine ausführliche Berichterstattung über die Branche mit Schätzungen und Prognose hinsichtlich des Umsatzes in Millionen USD von 2018 bis 2034, für die folgenden Segmente

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Marktnach Technologie, 2018 - 2034

• Nichtflüchtige Speicher
  • SRAM
  • Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher MRAM
  • Ferroelektrischer RAM FRAM
  • Resistive Direktzugriffsspeicher ReRAM
  • Nano-RAM
  • Sonstige
• Flüchtiger Speicher
  • Hybrid Memory Cube HMC
  • Hochbandbreitenspeicher HBM

Markt, nach Speicherwafergröße, 2018 – 2034

• 200 mm
• 300 mm

Markt, nach Anwendung, 2018 – 2034

• BFSI
• Unterhaltungselektronik
• Regierung
• Telekommunikation
• Informationstechnologie
• Sonstige

Die obigen Informationen gelten für die folgenden Regionen und Länder

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Großbritannien
  • Deutschland
  • Frankreich
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  • Spanien
  • Russland
  • Restliches Europa
• Asien-Pazifik
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  • Restlicher MEA