Markt für Super Junction-MOSFETs – Nach Anwendung: Energie und Strom, Unterhaltungselektronik, Wechselrichter und USV, Elektrofahrzeuge, Industriesysteme, Sonstiges, Nach Typ: Durchsteckmontage, Oberflächenmontage und Prognose 2024 – 2034

Marktgröße für Super Junction-MOSFETs

Der Markt für Super Junction-MOSFETs wurde im Jahr 2023 auf über 32,5 Milliarden USD geschätzt und soll zwischen 2024 und 2034 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von über 11,5 % wachsen. Mit der zunehmenden Verwendung leistungsstarker und kompakter elektronischer Geräte steigt der Bedarf an Leistungshalbleiterbauelementen, die eine hohe Leistung liefern und weniger Energie verbrauchen. Super Junction-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren MOSFET bieten ein ausgewogenes Verhältnis von Leistung und Effizienz, was sie für eine breite Palette von elektronischen Hochleistungssystemen attraktiv macht.
 

Im Januar 2024 brachte Alpha and Omega Semiconductor beispielsweise zwei αMOS5 600V FRD Super Junction MOSFETs auf den Markt. Sie wurden speziell entwickelt, um die Anforderungen von Servern, Workstations, Telekommunikationsgleichrichtern, Solarwechselrichtern, EV-Ladegeräten, Motorantrieben und industriellen Stromversorgungsanwendungen zu erfüllen, indem sie hohe Effizienz und hohe Dichte bieten.
 

Die Raumfahrtindustrie erlebt ein schnelles Wachstum und eine schnelle Kommerzialisierung, angetrieben durch zunehmende Investitionen von Regierungsbehörden, privaten Unternehmen und Startups. Mit der wachsenden Zahl von Satelliten, Raumsonden und Erkundungsmissionen, die gestartet werden, steigt die Nachfrage nach leistungsstarken und zuverlässigen Komponenten wie Super Junction MOSFETs für Raumfahrzeug-Stromversorgungssysteme erheblich an. So vergab die NASA im Mai 2021 beispielsweise ein SBIR-Projekt an IceMOS Technology zur Entwicklung strahlungstoleranter Hochspannungs-MOSFET-Transistoren, die für die Kampagne „Moon to Mars“ von entscheidender Bedeutung sind. Das Projekt umfasst die Entwicklung einer Technologie, die durch Verbesserung der Strahlungshärte von Hochspannungs-Leistungstransistoren große Fortschritte bei der Effizienz des Energiesystems eines Raumfahrzeugs beschleunigen soll.
 

Aufgrund ihrer komplexen Struktur und hohen Leistungsanforderungen erfordern Super-Junction-MOSFETs komplizierte Herstellungsprozesse und detaillierte Designtechniken. Die Entwicklung und Herstellung dieser Geräte erfordert erhebliche F&E-Investitionen und Fachwissen in Halbleiterphysik, Materialwissenschaft und Prozesstechnik, um Produkte zu bauen, die für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Spannung geeignet sind und die thermische Leistung verbessern.
 

Markttrends für Super-Junction-MOSFETs

Das steigende Wachstum bei der Produktion von unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen USV dürfte die Nachfrage nach Super-Junction-MOSFETs ankurbeln, indem der Schwerpunkt auf Effizienzsteigerung, Leistungsdichtesteigerung, Zuverlässigkeit und Kompatibilität mit der Integration von Energiespeichersystemen liegt. So stellte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Juni 2023 eine neue Serie von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor. Das erste Produkt der 600-V-DTMOSVI-Serie ist der TK055U60Z1, der auf Toshibas neuestem Verfahren mit Super-Junction-Struktur basiert. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente Schaltnetzteile in Rechenzentren, Stromaufbereiter für Photovoltaikgeneratoren und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.
 

Der Automobilsektor erlebt ein Wachstum, das durch Trends zu Stromversorgungsdesigns vorangetrieben wird, bei denen die Minimierung von Leitungsverlusten, die Optimierung des thermischen Verhaltens und die kostengünstige Realisierung kompakter und leichter Systeme im Vordergrund stehen. Aus Umweltgründen entwickeln Unternehmen Solarenergiesysteme, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden. So hat die Infineon Technologies AG im Juli 2023 ihre CoolMOS S7-Familie von Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs erweitert. Die Geräte zielen auf SMPS, Solarenergiesysteme, Batterieschutz, Halbleiterrelais SSR , Motorstarter und Halbleiterleistungsschalter sowie SPS, Lichtsteuerung, HV eFuse/eDisconnect ab. H EV-Bordladegeräte.
 

Marktanalyse für Super Junction MOSFET

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Energie und Strom, Unterhaltungselektronik, Wechselrichter und USV, Elektrofahrzeuge, Industriesysteme und andere segmentiert. Im Jahr 2023 dominierte das Segment Energie und Strom den Markt mit einem Anteil von über 30 %.
 

• Die Nachfrage nach höherer Leistungsdichte und verbessertem Wärmemanagement in der Leistungselektronik treibt Innovationen im Design und der Verpackung von Super-Junction-MOSFETs voran. Hersteller entwickeln MOSFETs mit geringerem Einschaltwiderstand, höherer Strombelastbarkeit und verbesserter Wärmeleistung, um den Anforderungen kompakter und thermisch anspruchsvoller Anwendungen wie Server-Stromversorgungen, Automobilantrieben und industriellen Motorantrieben gerecht zu werden. So hat Alpha and Omega Semiconductor Limited im Mai 2023 AOS hat die Veröffentlichung der 600-V-αMOS7-Superjunction-MOSFET-Familie angekündigt. αMOS7 ist AOS‘ Hochspannungs-MOSFET der nächsten Generation, entwickelt, um die Anforderungen an hohe Effizienz und Dichte von Servern, Workstations, Telekommunikationsgleichrichtern, Solarwechselrichtern, EV-Ladegeräten, Motorantrieben und industriellen Stromanwendungen zu erfüllen.
   

Basierend auf dem Typ ist der Markt in Durchsteckmontage und Oberflächenmontage unterteilt. Das Segment der Durchsteckmontage wächst am schnellsten und soll zwischen 2024 und 2034 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von über 13 % wachsen.
 

• Mit dem zunehmenden Fokus auf Produktzuverlässigkeit und Qualitätssicherung implementieren die Hersteller von Durchsteck-Superjunction-MOSFETs fortschrittliche Herstellungsverfahren und Qualitätskontrollmaßnahmen. Hierzu gehören strenge Testverfahren, eine verbesserte Materialauswahl und die Einhaltung von Industriestandards, um die langfristige Zuverlässigkeit und Leistung von Through-Hole-MOSFETs in anspruchsvollen Anwendungen sicherzustellen. So führte STMicroelectronics im März 2024 in der STPOWER MDmesh DM9 AG-Serie 600-V/650-V-Super-Junction-MOSFETs in Automobilqualität mit Durchgangsloch ein, um überlegene Effizienz und Robustheit für On-Board-Ladegeräte OBCs und DC/DC-Wandleranwendungen in sowohl hart- als auch weichschaltenden Topologien zu bieten.
   

Der asiatisch-pazifische Raum dominierte den Markt für Super-Junction-MOSFETs im Jahr 2023 und wird voraussichtlich von 2024 bis 2034 eine starke durchschnittliche jährliche Wachstumsrate CAGR von über 13,5 % aufrechterhalten. Die wachsende Wirtschaft der Region, unterstützt durch das Wachstum von Branchen wie Automobil, Unterhaltungselektronik, erneuerbare Energien und industrielle Automatisierung, ist ein wichtiger Treiber für die Nachfrage nach Super-Junction-MOSFETs. Die steigenden Investitionen in den Ausbau der Infrastruktur und die Elektrifizierung von Fahrzeugen tragen zur erhöhten Nachfrage nach energieeffizienten Halbleiterlösungen in der Region bei und machen die Region zu einem Schlüsselmarkt für Super Junction-MOSFETs.
 

Marktanteil von Super Junction-MOSFETs 

ON Semiconductor Corporation und STMicroelectronics NV halten einen signifikanten Anteil von über 10 %. ON Semiconductor Corporation ist ein bedeutender Akteur auf dem Markt für Super Junction-MOSFET-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und nutzt seine Expertise in der Halbleitertechnologie, um innovative Lösungen für verschiedene Anwendungen anzubieten. Super Junction-MOSFETs sind fortschrittliche Leistungshalbleiterbauelemente, die für ihre hohe Effizienz, ihren niedrigen Durchlasswiderstand und ihre schnellen Schaltfähigkeiten bekannt sind, was sie ideal für den Einsatz in Stromversorgungen, erneuerbaren Energiesystemen, Elektrofahrzeugen und industriellen Anwendungen macht.
 

STMicroelectronics NV ist ein bedeutender Akteur in der Halbleiterindustrie, der für seine innovativen Technologien und sein vielfältiges Produktangebot bekannt ist. Im Bereich der Leistungshalbleiter hat STMicroelectronics bedeutende Fortschritte gemacht, insbesondere auf dem Markt für Super Junction-MOSFETs Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren . Super Junction-MOSFETs sind eine wichtige Komponente in der Leistungselektronik und ermöglichen eine effiziente Energieumwandlung und -verwaltung in verschiedenen Anwendungen wie Automobil-, Industrie-, Unterhaltungselektronik und erneuerbaren Energiesystemen.
 

Unternehmen auf dem Markt für Super Junction-MOSFETs

Die wichtigsten Akteure in der Super Junction-MOSFET-Branche sind

• ON Semiconductor Corporation
• STMicroelectronics NV
• Infineon Technologies AG
• ROHM Co., Ltd.
• Vishay Intertechnology, Inc.
• IceMOS Technology Ltd.
• Fuji Electric Co., Ltd.
   

Neuigkeiten zur Super Junction-MOSFET-Branche

• Im Oktober 2023 brachte Magnachip Semiconductor Corporation seinen 600-V-Super Junction-Metalloxid-Transistor der 6. Generation auf den Markt Halbleiter-Feldeffekttransistor SJ MOSFET, verbessert mit Mikrofertigungstechnologie. Die Technologie verbessert die vorherige Generation von SJ MOSFETs, indem sie die Zellabstände um 50 % verengt und den RDS um 42 % senkt.
   
• Im Juli 2023 hat ROHM CO., LTD. seiner PrestoMOS-Reihe von 600-V-Super-Junction-MOSFETs neue Modelle, die R60xxRNx-Serie, hinzugefügt. Diese Geräte sind für den Antrieb kleiner Motoren in Kühlschränken, Ventilatoren und anderen Anwendungen optimiert, bei denen Rauschunterdrückung wichtig ist.
   

Der Marktforschungsbericht für Super-Junction-MOSFETs umfasst eine ausführliche Berichterstattung über die Branche mit Schätzungen und Prognosen Prognose in Bezug auf den Umsatz in Millionen USD von 2018 bis 2034, für die folgenden Segmente

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Markt, nach Anwendung

• Energie und Strom
• Unterhaltungselektronik
• Wechselrichter und USV
• Elektrofahrzeug
• Industriesystem
• Sonstige

Markt, nach Typ

• Durchgangslochtyp
• Oberflächenmontagetyp

Die obigen Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • Großbritannien
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Restliches Europa
• Asien-Pazifik
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  • Rest von MEA