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Markt für IGBTs und Thyristoren – Nach Spannung: Niederspannungs-IGBTs, Mittelspannungs-IGBTs, Hochspannungs-IGBTs, Nach Verpackungstyp: IGBT diskret, IGBT-Modul, Nach Anwendung und Prognose 2024 – 2034


Published on: 2024-07-05 | No of Pages : 432 | Industry : Neueste Trends

Publisher : MRAA | Format : PDF&Excel

Markt für IGBTs und Thyristoren – Nach Spannung: Niederspannungs-IGBTs, Mittelspannungs-IGBTs, Hochspannungs-IGBTs, Nach Verpackungstyp: IGBT diskret, IGBT-Modul, Nach Anwendung und Prognose 2024 – 2034

Marktgröße für IGBTs und Thyristoren

Der Markt für IGBTs und Thyristoren wurde 2023 auf über 5,5 Milliarden USD geschätzt und wird zwischen 2024 und 2034 voraussichtlich eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von über 2 % verzeichnen. Für IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistors und Thyristoren sind Wind- und Solarenergie derzeit die wichtigsten Wachstumstreiber. Die Welt bewegt sich in Richtung sauberer Energieformen, daher besteht eine erhöhte Nachfrage nach effizienten Energieumwandlungs- und Steuerungstechnologien, mit denen erneuerbare Energiesysteme in das bestehende Netz integriert werden können. IGBTs und Thyristoren sind für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien unverzichtbar, da sie den von Solarmodulen und Windturbinen erzeugten Gleichstrom in nutzbaren Wechselstrom umwandeln, der durch die Übertragungsleitungen fließt.
 

Markt für IGBTs und Thyristoren

Der Markt für IGBTs und Thyristoren wächst aufgrund der Urbanisierung und der Entwicklung der Infrastruktur rasant. Modernisierte Infrastrukturen wie intelligente Gebäude, Transportsysteme und Energienetze werden als Mittel zur Bewältigung des weltweiten Anstiegs der städtischen Bevölkerung angesehen. Damit diese Infrastrukturen über eine effiziente Energieverwaltung, -steuerung und -verteilung verfügen, benötigen sie fortschrittliche Leistungselektroniklösungen. Zu den wichtigsten Anwendungen für IGBTs und Thyristoren gehören Elektrofahrzeuge EVs , erneuerbare Energiesysteme, intelligente Stromnetze und industrielle Automatisierung.
 

Das Wärmemanagement ist ein Hindernis auf dem IGBT- und Thyristormarkt, da während des Betriebs viel Wärme erzeugt wird. Wird diese Wärmeableitung nicht gut gemanagt, kann dies zu Leistungseinbußen und Zuverlässigkeitsproblemen führen. Unzureichendes Wärmemanagement kann zu einem thermischen Durchgehen führen, bei dem die Temperaturen sichere Betriebsbereiche überschreiten, was schließlich zu einem Geräteausfall führt.
 

Markttrends für IGBTs und Thyristoren

Elektrofahrzeuge gewinnen in der IGBT- und Thyristorbranche an Bedeutung. Geräte, die als Halbleiter dienen, spielen eine wichtige Rolle in den elektrischen Energiesystemen von Elektro-/Hybridfahrzeugen, da sie eine effiziente Energieumwandlung sowie die Motorsteuerung unterstützen. All diese Halbleiter in verschiedenen Komponenten, die für Elektro- oder Hybridautos verwendet werden, wie Traktionswechselrichter, Bordladegeräte und DC/DC-Wandler, wandeln den Gleichstrom der Batterie in Wechselstrom um, um Elektromotoren anzutreiben und als Lade-/Entlademanagement-Tool zu fungieren. So hat Renesas Electronics Corporation im August 2022 Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors Si-IGBTs der AE5-Generation auf den Markt gebracht, die in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge verwendet werden. Sie ermöglichen es den Herstellern, den Batterieverbrauch zu reduzieren und die Lebensdauer ihrer Fahrzeuge zu verbessern, da die Leistungsverluste um 10 % reduziert werden.
 

Der Marktbericht zu IGBTs und Thyristoren zeigt, dass Smart-Grid-Infrastrukturen eingeführt werden, um Stromsysteme zu modernisieren und ihre Effizienz zu steigern, was einer der wichtigsten Faktoren für diesen Markt ist. Dies sind entscheidende Komponenten in jeder Smart-Grid-Infrastruktur, da sie Spannungsregelung, Leistungsaufbereitung sowie Netzstabilisierung ermöglichen. Um ihre Stromnetze intelligenter zu machen & widerstandsfähiger, haben Energieversorger und Netzbetreiber weltweit begonnen, sie durch fortschrittliche halbleiterbasierte Technologien aufzurüsten, die den Herausforderungen von Smart-Grid-Anwendungen gewachsen sind.
 

Marktanalyse für IGBTs und Thyristoren

Marktgröße für IGBTs und Thyristoren, nach Verpackungstyp, 2022 – 2034, in Milliarden US-Dollar

Basierend auf dem Verpackungstyp ist der Markt in diskrete IGBTs und IGBT-Module segmentiert. Das Segment der IGBT-Module hatte 2023 den größten Marktanteil von über 67,9 %, hauptsächlich aufgrund seiner Leistung und Vielseitigkeit. Vollgepackt mit mehreren Leistungsgeräten wie IGBTs, Freilaufdioden und anderen erforderlichen Komponenten erhöht dieses Produkt seine Handhabungskapazität und erleichtert gleichzeitig den Montageprozess für viele Branchen. Ein solcher Impuls ist die wachsende Nachfrage nach effizienten Energielösungen in Sektoren wie Automobil, Industrieautomation, erneuerbare Energien und Unterhaltungselektronik. Daher wandeln IGBT-Module elektrische Energie effektiv um und regulieren sie, um die Nutzung sauberer und nachhaltiger Energiequellen zu ermöglichen und gleichzeitig die Gesamtsystemleistung und -zuverlässigkeit zu verbessern.
 

IGBTs und Thyristoren Marktanteil, nach Anwendung, 2023

Basierend auf der Anwendung ist der Markt segmentiert in Stromübertragungssysteme, erneuerbare Energien, Schienenantriebssysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgung USV , Elektro- und Hybridelektrofahrzeuge und andere. Das Segment Stromübertragungssysteme wird voraussichtlich von 2024 bis 2034 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von über 2,5 % verzeichnen, da die Nachfrage nach effizienten und zuverlässigen Stromübertragungs- und -verteilungslösungen steigt. Die Stromübertragung kann durch IGBTs und Thyristoren, die auch höhere Spannungen verarbeiten und Übertragungsverluste reduzieren, effizienter gesteuert und umgewandelt werden. Die Nachfrage nach mit IGBTs und Thyristoren ausgestatteten modernen Stromübertragungssystemen steigt aufgrund des weltweiten Vorstoßes zur Integration erneuerbarer Energien, zur Implementierung intelligenter Stromnetze und zur Elektrifizierung des Verkehrs. 
 

ChinaMarktgröße für IGBTs und Thyristoren nach Regionen, 2022–2034, in Millionen USD
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Der asiatisch-pazifische Raum ist mit einem Anteil von etwa 37 % im Jahr 2023 führend auf dem globalen Markt für IGBTs und Thyristoren. Dieser Boom ist auf mehrere Aspekte zurückzuführen. Zum einen haben die schnelle Industrialisierung und Urbanisierung in der Region den Bedarf an elektrischer Infrastruktur und industrieller Automatisierung erhöht, wodurch die Nachfrage nach IGBTs und Thyristoren in verschiedenen Anwendungen wie Leistungselektronik-Umrichtern, Motorantrieben und Spannungsreglern in die Höhe getrieben wurde. Darüber hinaus treiben die zunehmende Autobevölkerung in Ländern wie Japan, Südkorea und China sowie die Verbesserung der Transportsysteme den Einsatz dieser Halbleiter in Elektro- und Hybridfahrzeugen voran.
 

Marktanteil von IGBTs und Thyristoren

Infineon Technologies AG und Fuji Electric Co., Ltd. hielten im Jahr 2023 einen signifikanten Anteil von über 18 % an der IGBT- und Thyristorenbranche. Infineon Technologies AG bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiterlösungen, die auf verschiedene Leistungselektronikanwendungen zugeschnitten sind. Infineon ist auf die Entwicklung und Produktion von IGBTs und Thyristoren spezialisiert und nutzt dabei sein Know-how in den Bereichen Halbleitertechnologie und Energiemanagement.
 

Fuji Electric Co., Ltd. ist bekannt für sein umfangreiches Portfolio an Leistungshalbleitergeräten und -lösungen. Das Unternehmen ist auf die Entwicklung, Herstellung und den Vertrieb von IGBTs und Thyristoren für verschiedene Industrie- und Anwendungsbereiche spezialisiert. kommerzielle Anwendungen.
 

Unternehmen auf dem Markt für IGBTs und Thyristoren

Die wichtigsten Akteure auf dem Markt sind

  • Renesas Electronics Corporation
  • Semikron Danfoss
  • Diodes Incorporated
  • Dynex Semiconductor Ltd.
  • Infineon Technologies AG
  • Hitachi Energy Ltd.
  • Fuji Electric Co., Ltd.
     

Neuigkeiten aus der IGBT- und Thyristor-Branche

  • Im März 2024 steigerte Hitachi Energy seine Chipproduktion für 1.200-V-IGBTs mithilfe seiner 300-mm-Wafer-Halbleitertechnologie. Die innovative Entwicklung steigert die Chip-Produktionskapazität und ermöglicht komplexere Strukturen dieser Leistungshalbleiterbauelemente, wodurch Stromversorgungen in Hochleistungsanwendungen schnell geschaltet werden können.
     
  • Im Juli 2023 ist Nexperia mit einer flexiblen Palette von 600-V-Bauelementen in den IGBT-Markt eingestiegen, die mittlere M3- und hohe H3-Schaltfunktionen bieten. Diese IGBTs verfügen über eine trägergespeicherte Trench-Gate-Konstruktion mit fortschrittlicher Field-stop-FS-Konstruktion, die geringe Leitungs- und Schaltverluste bei hoher Robustheit bietet.
     

Der Marktforschungsbericht zu IGBTs und Thyristoren umfasst eine ausführliche Abdeckung der Branche mit Schätzungen und Prognose hinsichtlich des Umsatzes in Millionen USD von 2018 bis 2034, für die folgenden Segmente

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Marktnach Spannung

  • Niederspannungs-IGBTs
  • Mittelspannungs-IGBTs
  • Hochspannungs-IGBTs

Marktnach Verpackungstyp

  • Diskrete IGBTs
  • IGBT-Modul

Marktnach Anwendung

  • Stromübertragungssysteme
  • Erneuerbare Energien
  • Bahnantriebssysteme
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung USV
  • Elektrische und Hybrid-Elektrofahrzeuge
  • Sonstige

Die obigen Informationen gelten für die folgenden Regionen und Länder

  • Nordamerika
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  • Asien-Pazifik
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    • Südkorea
    • ANZ
    • Restlicher Asien-Pazifikraum 
  • Lateinamerika
    • Brasilien
    • Mexiko
    • Rest von Lateinamerika
  • MEA
    • VAE
    • Saudi-Arabien
    • Südafrika
    • Rest von MEA

 

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