Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter – Nach Produkt: Siliziumkarbid-SiC-Leistungsmodul, Galliumnitrid-GaN-Leistungsmodul, diskretes SiC, diskretes GaN, nach Anwendung, Branchenanalysebericht und globale Prognose, 2023 – 2034

Marktgröße für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

GaN- und SiC-Leistungshalbleiter Der Markt für SiC-Leistungshalbleiter hat im Jahr 2022 die Marke von 1 Milliarde USD überschritten und wird voraussichtlich von 2023 bis 2034 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von 25 % aufweisen. Die schnellen Fortschritte in der Robotik und Automatisierung in industriellen Anwendungen werden das Branchenwachstum weiter ankurbeln.
 

Elektromotorantriebe, die Arbeitspferde der globalen Industrie, können durch den Einbau von Leistungshalbleitern hocheffizient werden. Der Bedarf an Motorantrieben steigt angesichts der zunehmenden Akzeptanz von Robotern und industriellen Automatisierungslösungen. Dieser Automatisierungstrend ist auf staatliche Initiativen zurückzuführen, die auf die Förderung der Einführung von Industrie 4.0 abzielen. Darüber hinaus treibt die Implementierung innovativer Technologien wie Cloud Computing und IIoT die Nachfrage nach Motorantrieben an. Diese Faktoren werden den Einsatz von GaN- und SiC-Leistungshalbleitern zur Stromversorgung dieser Antriebe verstärken.
 

Trotz der Wachstumskurve kann die hohe Komplexität der Herstellung diskreter Leistungsbauteile eine stetige Branchenentwicklung behindern. Regierungsstellen haben jedoch wichtige Maßnahmen zur Eindämmung der CO2-Emissionen ergriffen, indem sie die Entwicklung erneuerbarer Energiequellen beschleunigen. Initiativen wie diese werden den Einsatz von Galliumnitrid und Siliziumkarbid Leistungselektronik im Bereich der erneuerbaren Energien verstärken und lukrative Möglichkeiten für die Expansion des Marktes für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter schaffen.
 

Marktanalyse für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

Es wird erwartet, dass das diskrete SiC-Produktsegment bis 2034 Zuwächse von über 20 % erzielt. Die Fähigkeit des Produkts, hohen Temperaturen standzuhalten, fördert den Einsatz diskreter SiC-Halbleiter in Kühlsystemen für Leistungselektronik. Die hohe Präferenz für diesen Halbleiter in Wechselrichteranwendungen für Elektrofahrzeuge wird daher die Marktaussichten bis 2034 verbessern.
 

Die Umsätze auf dem Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter im Segment Hybrid-/Elektrofahrzeuge werden bis 2034 3 Milliarden USD erreichen. Die Weiterentwicklung der Automobiltechnologien und das starke Bewusstsein für die Nachteile von Fahrzeugabgasen sind die Hauptgründe für die Integration von SiC- und GaN-Halbleitern. Da die Eigenschaft hoher Betriebstemperaturen dazu beitragen kann, den Bedarf an Kühlsystemen zu senken, wird die Nachfrage nach Komponenten für Hybrid- und vollelektrische Fahrzeuge stark ansteigen.
 

Angesichts der Popularität von Robotik und schneller Fabrikautomatisierung wird für den europäischen Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter bis 2034 eine Wachstumsrate von 20 % erwartet. Im Oktober 2021 wurde beispielsweise das Automatisierungszentrum von OMRON in Europa neu gestaltet. Dieses modernisierte Zentrum sollte es den Kunden ermöglichen, die Vorteile einer automatisierten und intelligenten Fabrik zu erleben. Um einen Wettbewerbsvorteil zu erlangen, zielen OEMs auch darauf ab, ihre Anlagen durch die Integration von Industrierobotern zu modernisieren und so die Nutzung von GaN- und SiC-Leistungshalbleitern in der Region zu erhöhen.
 

Der asiatisch-pazifische Raum hielt im Jahr 2022 aufgrund der starken Nachfrage nach Stromversorgungsgeräten in Ländern wie China und Indien fast 40 % des Marktanteils. Auch die rasante Innovation in der Automobilelektronik zeichnet sich als wichtiger Trend ab. Diese Faktoren dürften die Versorgung mit Leistungshalbleitern für Automobilelektronikanwendungen in der Region fördern.
 

GaN & Marktanteil von SiC-Leistungshalbleitern

• Mitsubishi Electric Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• Fuji Electric Co Ltd
• Infineon Technologies AG
• ON Semiconductor Corporation
• ROHM CO LTD
• SEMIKRON
• STMicroelectronics NV
• Vishay Intertechnology
• Littelfuse Inc

und Wolfspeedic sind einige der wichtigsten Akteure auf dem Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter. Diese Unternehmen setzen Strategien wie Akquisitionen und Kooperationen um, um ihre Position in der Branche zu stärken.
 

So haben beispielsweise ROHM Semiconductor und Delta Electronics im April 2022 zusammengearbeitet, um ihre Technologie- und Fertigungskompetenz für die Massenproduktion von GaN-basierten Stromversorgungsgeräten zu bündeln. Diese Initiative zur Entwicklung von Stromversorgungssystemen wird es dem Unternehmen ermöglichen, eine starke Präsenz auf dem Weltmarkt aufzubauen.
 

Auswirkungen der COVID-19-Pandemie

Unterbrechungen der Lieferkette während der COVID-19-Pandemie hatten tiefgreifende Auswirkungen auf Branchen wie erneuerbare Energien. Versorgungsengpässe führten zu einem weltweiten Preisanstieg bei Solarmodulkomponenten. Herausforderungen wie diese werden die Produktion von Halbleitern zur Verwendung als Schaltkomponenten in PV-Wechselrichterschaltungen und anderen Anwendungen für saubere Energie behindern. Mit der stetigen wirtschaftlichen Erholung wird der Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter jedoch wahrscheinlich zwischen 2023 und 2034 allmählich wachsen.
 

Dieser Marktforschungsbericht zu GaN- und SiC-Leistungshalbleitern umfasst eine ausführliche Berichterstattung über die Branche mit Schätzungen und Prognosen. Prognose hinsichtlich des Umsatzes in Millionen USD von 2018 bis 2034 für die folgenden Segmente

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Markt nach Produkt

• SiC-Leistungsmodule
• GaN-Leistungsmodule
• Diskretes SiC
• Diskretes GaN

Markt nach Anwendung

• Stromversorgungen
• Industrielle Motorantriebe
• Hybrid-/Elektrofahrzeuge (H/EVs)
• Photovoltaik-Wechselrichter
• Antrieb
• Andere

Die obigen Informationen werden auf regionaler und länderbezogener Basis für die folgenden Länder bereitgestellt

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