パワートランジスタ市場は、モノのインターネット（IoT）の実装の増加、パワートランジスタの有益な機能に関する認識の高まり、通信および接続された電子デバイスにおけるパワートランジスタの需要の増加などの要因により、予測期間中に成長すると予想されます。

パワートランジスタは、半導体材料で構成される3端子デバイスです。エミッタ、ベース、およびコレクタ端子が含まれます。さらに、トランジスタの主な機能は、弱い信号を増強し、それに応じて調整することです。さらに、これらのトランジスタは、NPN（負正負）またはPNP（正負正）極性のいずれかであり、電力およびスイッチング速度定格のさまざまなタイプで見つかります。

民生用電子機器の需要の増加

民生用電子機器では、パワートランジスタは電子信号の増幅に重要な役割を果たし、民生用電子機器の機能とパフォーマンスを向上させるために使用されるため、重要なコンポーネントです。そのため、先進国と発展途上国は、政府の支援、技術の進歩、取り組み、投資などを通じて、消費者向け電子機器の成長を促進しています。たとえば、インドでは、政府は2025年までにPLIスキームの下で、主に携帯電話と電子部品の大規模電子機器製造に41億8,300万米ドルの投資を予定しています。さらに、Make in Indiaプログラム、国家電子機器政策、電子機器部門の生産連動インセンティブスキーム、修正特別インセンティブスキーム、電子機器製造クラスター（EMC）スキームなどのスキームや、その他のいくつかの措置は、国内製造、電子機器製造の現地化、外国直接投資の誘致、輸出の増加に対するインセンティブを提供することを意図しています。したがって、このような投資と取り組みにより、予測期間中に世界のパワートランジスタ市場が拡大すると予想されます。

パワートランジスタの技術的進歩

パワートランジスタは、パソコン、スマートフォン、テレビなど、私たちの周りのほぼすべての電気製品に使用されており、それらのパフォーマンスに大きな影響を与えます。したがって、トランジスタ技術は、動作速度の向上、消費電力の低減、サイズの小型化など、より高いパフォーマンスを実現するために日々強化されています。トランジスタは当初ゲルマニウム (Ge) を使用して設計されていましたが、その後、回路のパフォーマンスを向上させるためにシリコン (Si) が使用されるようになりました。さらに、従来の電力コンバータは、高速スイッチングトランジスタを使用して電気エネルギーを変換します。これらのトランジスタはコストを追加し、効率を低下させ、コンバータの信頼性に悪影響を及ぼします。標準的なコンバータでは、電力/速度の需要、損失、および障害は、主に高速スイッチングトランジスタに関連しています。その後、高速スイッチング トランジスタの排除により、従来のコンバータの設置、修理、交換に関連するコストを削減しながら、改善された電力密度と効率で動作できる高度で高性能な電力コンバータが可能になります。したがって、パワー トランジスタの技術的進歩の採用が進むにつれて、今後数年間で世界のパワー トランジスタは急速に成長すると思われます。

5G テクノロジの台頭が市場の成長を牽引

5G テクノロジにより、ボード スペースと消費電力の厳しい制約を考慮しながらモバイル ネットワークに実装する必要がある新しい RF (無線周波数) 機能が多数導入されました。これらのますます厳しくなる要件を満たすために、RF 設計者は、従来のシリコン ベースの RF パワー IC と比較して、電力密度と効率の両方の点で大幅な改善を提供できるワイド バンドギャップ (WBG) 半導体などの代替材料の使用に目を向けるようになりました。したがって、5G テクノロジーの拡大は、パワー トランジスタの需要に世界的に影響を及ぼす可能性があります。

無料サンプル レポートをダウンロード

市場セグメント

世界のパワー トランジスタ市場は、タイプ別、アプリケーション別、最終用途別、地域別にセグメント化されています。タイプに基づいて、市場はバイポーラ接合トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタ、絶縁ゲート バイポーラ トランジスタに分類されます。アプリケーションに基づいて、市場はスイッチ モード電源、リレー、コンバータ、パワー アンプ、DC から AC へのコンバータ、電源、電力制御回路、インバータに分類されます。最終用途に基づいて、市場は民生用電子機器、通信およびテクノロジー、自動車、製造、エネルギーおよび電力、その他に分類されます。

市場プレーヤー

最近の開発

• 2022 年 6 月、GaN Systems は、業界で最も幅広い GaNpower トランジスタのポートフォリオに追加する新しいトランジスタを発表しました。効率、熱管理、電力密度のパフォーマンスを向上させるとともに、設計の柔軟性とコスト効率を高めて、消費者、産業、データセンターの顧客からの進化する需要に対応します。
  
  
• 2021 年 12 月、IBM と Samsung Electronics は、新しい垂直トランジスタ アーキテクチャを使用して、ナノシートを超えてスケーリングする方法を示し、スケーリングされたフィン電界効果トランジスタよりも 85% 少ないエネルギーを使用する可能性のある半導体設計のブレークスルーを発表しました。