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世界の GaN RF デバイス市場規模 - 製品別 (RF フロントエンド機器および RF 端末機器)、アプリケーション別 (民生用電子機器、産業用、航空宇宙および防衛)、地理的範囲および予測


Published on: 2024-08-26 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MRA | Format : PDF&Excel

世界の GaN RF デバイス市場規模 - 製品別 (RF フロントエンド機器および RF 端末機器)、アプリケーション別 (民生用電子機器、産業用、航空宇宙および防衛)、地理的範囲および予測

GaN RF デバイス市場規模と予測

GaN RF デバイス市場規模は 2023 年に 26 億米ドルと評価され、2031 年までに 81.5 億米ドルに達すると予測され、2024 年から 2031 年にかけて 23.32% の CAGR で成長します。

  • 窒化ガリウム (GaN) は、RF デバイスの世界に革命をもたらしている有望な新しい半導体材料です。シリコン (Si) やガリウムヒ素 (GaAs) などの従来の材料と比較して、GaN には高出力、高周波アプリケーションに最適ないくつかの利点があります。
  • GaN デバイスは、Si や GaA デバイスよりもはるかに高い電圧と電流を処理できます。これにより、故障することなくより多くの電力を生成できます。
  • GaN デバイスは熱として無駄になるエネルギーが少ないため、Si や GaAs デバイスよりも効率的です。これは、バッテリー駆動のアプリケーションにとって特に重要です。
  • GaN デバイスは電力密度が高いため、同じ出力の Si や GaAs デバイスよりも小型にすることができます。これは、スペースが限られているアプリケーションにとって大きな利点となります。

世界の GaN RF デバイス市場のダイナミクス

GaN RF デバイス市場を形成する主要な市場ダイナミクスは次のとおりです。

主要な市場推進要因

  • 高速接続の需要の高まりより高速なデータ転送速度に対する需要の高まりは、GaN RF デバイス市場の主要な推進要因です。5G セルラー ネットワークの展開により、より高い周波数とより広い帯域幅を処理できる RF デバイスの必要性が生じています。 GaN は、高周波数で優れた性能を発揮するため、このアプリケーションに最適です。さらに、さらに高速で要件が厳しい将来のセルラー ネットワーク (6G) の可能性に目を向けると、GaN テクノロジはこれらの進歩を実現する上で重要な役割を果たすことが期待されています。
  • 通信およびコンシューマー エレクトロニクスの成長通信インフラストラクチャの拡張により、いくつかの領域で GaN RF デバイスの需要が高まっています。モバイル デバイスから信号を送受信する塔である基地局では、増加するデータ トラフィックを処理するために、高出力で効率的な RF アンプが必要です。このアプリケーションでは、GaN アンプは従来のシリコン ベースのアンプに比べて、より高い出力と高い効率を提供するという大きな利点があります。さらに、航空管制、気象監視、軍事防衛などのさまざまなアプリケーションに使用されるレーダー システムの成長も、GaN RF デバイス市場のもう 1 つの重要な推進力となっています。 GaN トランジスタは、高周波で動作し、高出力パルスを生成できるため、レーダー システムに最適です。
  • エネルギー効率に重点を置くシリコンなどの従来の材料と比較して GaN はエネルギー効率に優れているため、モバイル デバイスや遠隔地の基地局など、バッテリー寿命が重要なアプリケーションに最適です。

主な課題

  • 製造コストが高いGaN RF デバイスは、シリコン製のデバイスと比較して製造コストが高くなる可能性があります。これは、特に消費者向け電子機器などのコストに敏感なアプリケーションで、より広く採用される上で大きな障壁となる可能性があります。GaN RF デバイスのコストが高い要因はいくつかあります。まず、GaN エピタキシャル ウェーハの成長プロセスは、シリコン ウェーハのプロセスよりも複雑で高価です。次に、GaN デバイスには、シリコン カーバイド (SiC) や窒化ガリウム (GaN-on-GaN) などの特殊な基板が必要であり、これらもシリコン基板よりも製造コストが高くなります。最後に、GaN デバイスのパッケージングは、放熱を効果的に管理する必要があるため、より複雑になる可能性があります。ただし、GaN 技術が成熟し、生産量が増加するにつれて、製造コストが下がることが期待できます。さらに、よりコスト効率の高い GaN エピタキシャル ウェーハ成長技術と代替基板の開発に向けた研究が進行中です。これらの進歩は、GaN RF デバイスをより幅広いアプリケーションでシリコン デバイスとより競争力のあるものにするのに役立ちます。
  • 基板の課題高品質でコスト効率の高い基板の開発は、GaN RF デバイスにとって大きな課題です。シリコン カーバイド (SiC) は一般的な基板材料ですが、複雑な成長プロセスが必要なため製造コストが高くなります。さらに、SiC 基板は GaN との格子不整合の影響を受ける可能性があり、これが GaN 層に欠陥をもたらし、最終的にデバイスのパフォーマンスを低下させる可能性があります。窒化ガリウム オン シリコン カーバイド (GaN-on-SiC) は、熱伝導率が良好で SiC 技術が成熟していることから、人気のある選択肢です。ただし、SiC 基板はまだ比較的高価です。

主なトレンド

  • 他のテクノロジーとの統合これは、GaN をシリコン (Si) やシリコンカーバイド (SiC) などの他の半導体材料と統合することです。このハイブリッドアプローチにより、設計者は各材料の長所を活用できます。たとえば、GaN を Si と組み合わせて、GaN の高出力および高周波性能と、シリコンのコスト効率および成熟した製造プロセスを備えた RF デバイスを作成できます。同様に、GaN を SiC と統合して、GaN の優れた性能と SiC の優れた熱伝導性を組み合わせたデバイスを作成できます。この統合により、より効率的で強力でコスト効率の高い RF デバイスを幅広いアプリケーションで開発できるようになります。
  • 小型化GaN テクノロジーの進歩により、RF デバイスの小型化が可能になりました。これは、より小型で軽量な電子機器に対する需要の高まりによって推進される重要なトレンドです。この小型化の傾向は、数多くのアプリケーションで明らかです。たとえば、民生用電子機器の分野では、小型化された GaN RF コンポーネントの開発により、よりスマートでコンパクトなスマートフォンやラップトップへの道が開かれています。さらに、通信分野では、GaN パワー アンプの小型化により、より小型の基地局の設計が可能になり、特に密集した都市環境での導入コストの削減とネットワーク カバレッジの向上に役立ちます。GaN RF デバイスの小型化は、自動車業界にとっても大きな期待が寄せられています。GaN ベースのレーダー システムを小型化することで、先進運転支援システム (ADAS) を強化し、完全自律走行車の開発への道を開くことができます。小型化された GaN RF コンポーネントは、航続距離が長く、より小型で軽量な電気自動車の開発にも重要な役割を果たします。

業界レポートの内容は?

当社のレポートには、プレゼンテーションの作成、事業計画の作成、提案書の作成に役立つ実用的なデータと将来を見据えた分析が含まれています。

世界の GaN RF デバイス市場の地域分析

GaN RF デバイス市場のより詳細な地域分析は次のとおりです。

アジア太平洋

  • 市場調査によると、アジア太平洋地域は予測期間を通じて GaN RF デバイス市場を支配すると予想されています。アジア太平洋地域では、GaN RF デバイスの主要な推進力である通信および民生用電子機器の需要が急増しています。スマートフォン、タブレット、その他のモバイル デバイスの採用の増加と、5G ネットワークの継続的な展開により、高性能で効率的な RF コンポーネントの需要が高まり、GaN テクノロジーの肥沃な土壌が生まれています。
  • 多くのアジア太平洋諸国の政府は、補助金や研究イニシアチブを通じて GaN テクノロジーの開発と採用を積極的に推進しています。この強力な政府の支援により、同地域の GaN RF デバイス市場の成長を支援する環境が育まれています。
  • アジア太平洋地域では、GaN RF デバイスの主要な推進力である通信および民生用電子機器の需要が急増しています。スマートフォン、タブレット、その他のモバイル デバイスの採用の増加と、進行中の 5G ネットワークの展開により、高性能で効率的な RF コンポーネントの需要が高まり、GaN テクノロジーにとって肥沃な土壌が生まれています。
  • 中国、日本、韓国の企業を含む、いくつかの主要な GaN RF デバイス メーカーがアジア太平洋地域に本社を置いています。製造の専門知識が集中しているため、GaN RF デバイス市場におけるこの地域の地位が強化されています。

ヨーロッパ

  • ヨーロッパの企業は GaN の研究開発のリーダーです。これは、優れたパフォーマンスと機能を備えた高度な GaN RF デバイスにつながります。イノベーションに重点を置くことで、ヨーロッパは GaN テクノロジーの将来に向けて有利な立場に立つことができます。
  • ヨーロッパは 5G ネットワークを積極的に展開しており、基地局やユーザー機器用の GaN トランジスタなどの高性能 RF コンポーネントが必要です。
  • ヨーロッパの防衛および航空宇宙産業では、優れた電力処理と効率性から、レーダー システム、電子戦アプリケーション、衛星通信に GaN RF デバイスを利用しています。
  • ヨーロッパの産業における自動化の傾向の高まりにより、産業用制御システムやワイヤレス センサー ネットワーク用の信頼性が高く効率的な RF コンポーネントに対する需要が高まっています。GaN テクノロジーは、これらのアプリケーションでも利点を提供します。

北米

  • 北米は、特に防衛および航空宇宙アプリケーションで GaN テクノロジーを採用してきた長い歴史を誇っています。この早期導入により、この地域の GaN RF デバイス市場の強固な基盤が確立されました。
  • 北米の GaN RF デバイス市場はすでにある程度成熟しており、急速に拡大しているアジア太平洋地域の市場と比較すると成長のペースは遅い可能性があります。
  • 北米企業は、最先端のアプリケーション向けの GaN RF デバイスの開発と利用の最前線に立っています。これには、軍事用のレーダー システム、衛星や航空機用の高性能通信システム、高度なセルラー ネットワーク用の次世代基地局が含まれます。
  • 一部の北米企業は、生産コストの低さを活用するために、製造をアジア太平洋地域にアウトソーシングしている可能性があります。この傾向により、北米での国内 GaN RF デバイス生産が減速する可能性があります。

世界の GaN RF デバイス市場のセグメンテーション分析

GaN RF デバイス市場は、製品、アプリケーション、および地域に基づいてセグメント化されています。

GaN RF デバイス市場、製品別

  • RF フロントエンド機器
  • RF 端末機器

製品に基づいて、市場は RF フロントエンド機器と RF 端末機器に分割されています。 GaN RF デバイスのアプリケーションの増加により、今後数年間で両方の製品の需要が高まると予想されます。

GaN RF デバイス市場、アプリケーション別

  • 民生用電子機器
  • 産業用
  • 航空宇宙および防衛
  • その他

アプリケーションに基づいて、市場は民生用電子機器、産業用、航空宇宙および防衛、およびその他に分割されています。民生用電子機器セグメントは、予測期間中に最高の CAGR を達成すると予想されています。これらの要因は、民生用電子機器における GaN RF デバイスの使用の増加に起因すると考えられます。

GaN RF デバイス市場、地域別

  • 北米
  • ヨーロッパ
  • アジア太平洋
  • その他の地域

地理に基づいて、世界の GaN RF デバイス市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、その他の地域に分割されています。エネルギー効率の高いデバイスの採用と、この地域での研究開発に対する防衛および航空宇宙部門による投資の増加により、市場の最大のシェアは北米によって支配されるでしょう。アジア太平洋地域は、急速な技術進歩と、効率的で高性能な RF コンポーネントの需要増加により、最高の CAGR で成長すると予想されています。

主要プレーヤー

「世界の GaN RF デバイス市場」調査レポートは、世界市場に重点を置いた貴重な洞察を提供します。主要なプレーヤーには、GAN Systems、Infineon Technologies、NXP Semiconductors、Texas Instruments、Toshiba、Qorvo、Cree、Avago Technologies、Fujitsu Semiconductor、MACOM、Microsemi、Sumitomo Electric Device、ST-Ericsson、United Monolithic Semiconductors (UMS)、WIN Semiconductors

また、当社の市場分析には、このような主要プレーヤー専用のセクションが含まれており、アナリストがすべての主要プレーヤーの財務諸表に関する洞察を、製品のベンチマークと SWOT 分析とともに提供しています。

GaN RF デバイス市場の最近の開発

  • 2024年、Qorvo(旧TriQuint)とNexperiaはNXPの買収を通じてGaN RFデバイスのポートフォリオを拡大しています。Qorvoは基地局やレーダーアプリケーション向けのさまざまなGaNトランジスタを誇り、NexperiaはさまざまなRFアンプアプリケーション向けのGaN FETを提供しています。
  • 2024年、China Electronics Technology Group Corporation(CETC)は、防衛および通信アプリケーション向けの高出力GaNデバイスに重点を置き、GaN技術開発で大きな進歩を遂げています。
  • 2024年、American Semiconductor(AMS)によるOclaroの買収により、基地局アプリケーション向けのGaNテクノロジーにアクセスできるようになりました。同社は、この買収を活用して GaN RF デバイス市場での地位を強化することが期待されています

レポートの範囲

レポートの属性詳細
調査期間

2020-2031

基準年

2023

予測期間

2024-2031

履歴期間

2020-2022

単位

値 (USD

主要企業

GAN Systems、Infineon Technologies、NXP Semiconductors、Texas Instruments、Toshiba、Qorvo、Cree、Avago Technologies、Fujitsu Semiconductor、MACOM、Microsemi。

対象分野
  • 製品別
  • アプリケーション別
  • 地域別
カスタマイズ範囲

購入すると、レポートのカスタマイズ(アナリストの営業日最大 4 日分に相当)が無料になります。国、地域、およびその他の国への追加または変更は、こちらから行えます。セグメントの範囲

市場調査の研究方法

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このレポートを購入する理由

経済的要因と非経済的要因の両方を含むセグメンテーションに基づく市場の定性的および定量的分析 各セグメントとサブセグメントの市場価値(10億米ドル)データの提供 最も急速な成長が見込まれ、市場を支配すると予想される地域とセグメントを示します 地域別の分析では、地域の製品/サービスの消費を強調し、各地域の市場に影響を与えている要因を示します 主要プレーヤーの市場ランキング、およびプロファイルされた企業の過去5年間の新しいサービス/製品の発売、パートナーシップ、事業拡大、買収を組み込んだ競争環境 会社概要、会社の洞察、製品主要な市場プレーヤーのベンチマークと SWOT 分析 最近の動向に関する業界の現在および将来の市場見通し (新興地域と先進地域の両方における成長機会と推進要因、課題と制約を含む) ポーターの 5 つの力の分析によるさまざまな視点からの市場の詳細な分析 バリュー チェーン市場ダイナミクス シナリオを通じて市場に関する洞察を提供し、今後数年間の市場の成長機会を提供します 6 か月間の販売後アナリスト サポート

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